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參數資料
| 型號： | WED9LC6416V2012BI |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153 |
| 封裝： | MO-163, BGA-153 |
| 文件頁數： | 10/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 334K |
| 代理商： | WED9LC6416V2012BI |
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White Electronic Designs Corporation Westborough, MA (508) 366-5151
White Electronic Designs
WED9LC6416V
FIG. 9 SDRAM PAGE READ CYCLE AT DIFFERENT BANK @BURST LENGTH = 4
0
1
2
3
4
5
6
7
SDCLK
SDWE
SDCAS
ADDR
RAa
RBb
CAa
CBb
CAe
CBd
CAc
BA0,1
[A11,A12]
SDA10
RAa
CL=2
QAa1
QAa0
QAa2 QAa3 QBb0 QBb1 QBb2
QAc1
QBb3 QAc0
QBd0 QBd1 QAe0 QAe1
CL=3
DQ
QAa1
QAa0
QAa2 QAa3 QBb0 QBb1
QAc0
QBb2 Qbb3
QAc1 QBd0 QBd1 QAe0 QAe1
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
DON T CARE
SDCE
SDRAS
BWE
Note 2
Note 1
NOTES:
1. SDCE can be “don ’t care ” when SDRAS, SDCAS and SDWE are high at the clock going high edge.
2. To interrupt a burst read by Row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WF128K16-150CI5 | 128K X 16 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, CDIP40 |
| WME128K8-250CIE | 128K X 8 EEPROM 5V, 250 ns, CDIP32 |
| WS128K32-70G1UMA | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 70 ns, CQMA68 |
| W24L01AQ-12 | 128K X 8 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO32 |
| WMS128K8-120CI | 128K X 8 STANDARD SRAM, 120 ns, CDIP32 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| WED9LC6416V-BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SSRAM/SDRAM MCP |
| WED9LC6816V | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V1310BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V1310BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V1312BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
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