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參數(shù)資料
| 型號： | WED9LC6416V2012BI |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153 |
| 封裝： | MO-163, BGA-153 |
| 文件頁數(shù)： | 16/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 334K |
| 代理商： | WED9LC6416V2012BI |
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White Electronic Designs Corporation (508) 366-5151 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
WED9LC6416V
FIG. 14 SDRAM WRITE INTERRUPTED BY PRECHARGE COMMAND & WRITE
BURST STOP @ BURST LENGTH =FULL PAGE
NOTES:
1. At full page mode,burst is end at the end of burst.So auto precharge is possible.
2. Data-in at the cycle of interrupted by precharge can not be written into the corresponding memory cell.It is defined by AC parameter of tRDL. BWE at write
interrupt by precharge command is needed to prevent invalid write. BWE should mask invalid input data on precharge command cycle when asserting precharge
before end of burst.Input data after Row precharge cycle will be masked internally.
3. Burst stop is valid at every burst length.
0
1
2
3
4
5
6
7
SDCLK
Row Active
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Burst Stop
Write
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
DON T CARE
SDCE
SDWE
SDRAS
SDCAS
ADDR
RAa
CAa
CAb
BA0,1
[A11,A12]
SDA10
RAa
DQ
DAa2
DAa1
DAa0
DAa3 DAa4
tBDL
DAb3
DAb0 DAb1 DAb2
DAB4 DAb5
BWE
tRDL
Note 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WF128K16-150CI5 | 128K X 16 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, CDIP40 |
| WME128K8-250CIE | 128K X 8 EEPROM 5V, 250 ns, CDIP32 |
| WS128K32-70G1UMA | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 70 ns, CQMA68 |
| W24L01AQ-12 | 128K X 8 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO32 |
| WMS128K8-120CI | 128K X 8 STANDARD SRAM, 120 ns, CDIP32 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| WED9LC6416V-BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SSRAM/SDRAM MCP |
| WED9LC6816V | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V1310BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V1310BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
| WED9LC6816V1312BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM |
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