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參數(shù)資料
| 型號： | W29GL128CL1B |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 1 FLASH 3V PROM, 100 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 11 X 13 MM, GREEN, BGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 28/63頁 |
| 文件大小： | 552K |
| 代理商： | W29GL128CL1B |
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W29GL128C
28
8
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(1)
8.1
Absolute Maximum Stress Ratings
Surrounding Temperature with Bias
-65°C to +125°C
Storage Temperature
-65°C to +150°C
VCC Voltage Range
-0.5V to +4.0V
EVIO Voltage Range
-0.5V to +4.0V
A9, #WP/ACC Voltage Range
-0.5V to +4.0V
Other Pins Voltage Range
-0.5V to VCC +0.5V
Output Short Circuit Current (less than one second)
200 mA
Table 8-1
Absolute Maximum Stress Ratings
8.2
Operating Temperature and Voltage
Industrial (I) Grade Surrounding Temperature (TA)
-40°C to +85°C
Full VCC Range Supply Voltage
+2.7V to 3.6V
Regulated VCC Range Supply Voltage
+3.0V to 3.6V
EVIO Range Supply Voltage
1.65V to VCC
Table 8-2
Operating Temperature and Voltage
NOTE:
1.
Specification for the W29GL128C is preliminary. See preliminary designation at the end of this document.
2.
Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent damage to the
device. This is stress rating only and functional operational sections of this specification is not implied. Exposure to
absolute maximum rating conditions for extended period may affect reliability.
3.
Specifications contained within the following tables are subject to change.
4.
During voltage transitions, all pins may overshoot VSS to -2.0V and VCC to +2.0V for periods up to 20ns, see below
Figure.
Vss
Vss -2.0V
20ns
Vcc +2.0V
Vcc
20ns
Figure 8-1
Maximum Negative Overshoot Figure 8-2
Maximum Positive Overshoot
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W29N102CP-55B | 64K X 16 FLASH 3.3V PROM, 55 ns, PQCC44 |
| W2D15A250A | 1 FUNCTIONS, 50 V, FERRITE CHIP |
| W1D15A270A | 1 FUNCTIONS, 50 V, FERRITE CHIP |
| W2Z1M72SJ38BC | 1M X 72 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 3.8 ns, PBGA209 |
| W2Z512K72SJ35ES | 512K X 72 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 3.5 ns, PBGA209 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W29GL128CL9B | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 90NS 64LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |
| W29GL128CL9B TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 128MBIT 90NS 64LFBGA |
| W29GL128CL9T | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 90NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| W29GL128CL9T TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 128MBIT 90NS 56TSOP |
| W29NK50ZD | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500 V - 0.11? - 29A TO-247 Fast Diode SuperMESH? MOSFET |
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