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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W29GL128CL1B |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 1 FLASH 3V PROM, 100 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 11 X 13 MM, GREEN, BGA-64 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/63頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 552K |
| 代理商： | W29GL128CL1B |
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W29GL128C
4
7
FUNCTIONAL DESCRIPTION
7.1
Device Bus Operation
#BYTE
VIL
VIH
Mode Select #Reset
#CE
#WE #OE Address
(4)
Data I/O
DQ[7:0]
Data I/O DQ[15:8]
#WP/ACC
Device Reset
L
X
High-Z
High-
Z
L/H
Standby
Mode
VCC±0.3V VCC±0.3V X
X
High-Z
High-
Z
H
Output
Disable
H
L
H
X
High-Z
High-
Z
L/H
Read Mode
H
L
H
L
AIN
DOUT
L/H
Write
H
L
H
AIN
DIN
Note
(1,2)
Accelerated
Program
H
L
H
AIN
DIN
DQ[14:8]=High-
Z
DQ15=A-1
DIN
VHH
Table 7-1
Device Bus Operation
Notes:
1.
The first or last sector was protected if #WP/ACC=VIL.
2.
When #WP/ACC = VIH, the protection conditions of the outmost sector depends on previous protection conditions.
Refer to the enhanced protect feature.
3.
DQ[15:0] are input (DIN) or output (DOUT) pins according to the requests of instruction sequence, sector protection,
or data polling algorithm.
4.
In Word Mode (Byte#=VIH), the addresses are A22 to A0. In Byte Mode (Byte#=VIL), the addresses are A22 to A-1
(DQ15),.
Control
Inputs
DQ[15:8]
Description
#CE #WE #OE
A22
~12
A11
~10
A9
A8
~7
A6
A5
~4
A3
~2
A1 A0 DQ[7:0]
BYTE WORD
Read Silicon ID
Manufacturer Code
L
H
L
X
VHH X
L
X
L
L L
EF
X
00
Cycle 1
L
H
L
X
VHH X
L
X
L
L H
7E
X
22
Cycle 2
L
H
L
X
VHH X
L
X
H H L
21
X
22
Dev
ice
ID
Cycle 3
L
H
L
X
VHH X
L
X
H H H
01
X
22
Sector Lock Status
Verification
(1)
L
H
L
SA
X
VHH X
L
X
L H L 01/00
X
Secure Sector (H)
(2)
L
H
L
X
VHH X
L
X
L H H 99/19
X
Secure Sector (L)
(2)
L
H
L
X
VHH X
L
X
L H H 89/09
X
Table 7-2
Device Bus Operation (continue)
Notes:
1.
Sector unprotected code:00h. Sector protected code:01h.
2.
Factory locked code: #WP protects high address sector: 99h. #WP protects low address sector: 89h Factory unlocked
code: #WP protects high address sector: 19h. #WP protects low address sector: 09h
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W29N102CP-55B | 64K X 16 FLASH 3.3V PROM, 55 ns, PQCC44 |
| W2D15A250A | 1 FUNCTIONS, 50 V, FERRITE CHIP |
| W1D15A270A | 1 FUNCTIONS, 50 V, FERRITE CHIP |
| W2Z1M72SJ38BC | 1M X 72 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 3.8 ns, PBGA209 |
| W2Z512K72SJ35ES | 512K X 72 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 3.5 ns, PBGA209 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| W29GL128CL9B TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 128MBIT 90NS 64LFBGA |
| W29GL128CL9T | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 90NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| W29GL128CL9T TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 128MBIT 90NS 56TSOP |
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