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參數(shù)資料
| 型號： | W19B322MTB9G |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA48 |
| 封裝： | TFBGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 20/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 1955K |
| 代理商： | W19B322MTB9G |
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W19B32XMT/B
Publication Release Date: March 23, 2004
- 27 -
Revision A2
7.5.2 Device Geometry Definition
DESCRIPTION
ADDRESS
(Write Mode)
DATA
ADDRESS
(Byte Mode)
Device size =2N bytes
27h
0016h
4Eh
Flash device interface description (refer to CFI publication 100)
28h
29h
0002h
0000h
50h
52h
Max. number of bytes in multi-byte write =2N (00h = not supported)
2Ah
2Bh
0000h
54h
56h
Number of Erase Block Regions within devices
2Ch
0002h
58h
Erase Block Region 1 Information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100 )
2Dh
2Eh
2Fh
30h
0007h
0000h
0020h
0000h
5Ah
5Ch
5Eh
60h
Erase Block Region 2 Information
31h
32h
33h
34h
003Eh
0000h
0001h
62h
64h
66h
68h
Erase Block Region 3 Information
35h
36h
37h
38h
0000h
6Ah
6Ch
6Eh
70h
Erase Block Region 4 Information
39h
3Ah
3Bh
3Ch
0000h
72h
74h
76h
78h
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WV3EG265M72EFSU335D4ING | 128M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, ZMA200 |
| W3DG7216V10D2 | 8M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, DMA168 |
| W7NCF01GH10CSAAEM1G | FLASH 3.3V PROM MODULE, XMA50 |
| W7NCF01GH10IS4FM1G | FLASH 3.3V PROM MODULE, XMA50 |
| W7NCF01GH10IS9FM1G | FLASH 3.3V PROM MODULE, XMA50 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W19L-E02050 | 制造商:Cooper Crouse-Hinds 功能描述: |
| W19L-E03040 | 制造商:Cooper Crouse-Hinds 功能描述: |
| W19L-E04040 | 制造商:Cooper Crouse-Hinds 功能描述: |
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