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參數(shù)資料
| 型號： | W19B320ATT9G |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 46/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 479K |
| 代理商： | W19B320ATT9G |
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W19B320AT/B
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12. ORDERING INFORMATION
Notes:
1. Winbond reserves the right to make changes to its products without prior notice.
2. Purchasers are responsible for performing appropriate quality assurance testing on products intended for use in
applications where personal injury might occur as a consequence of product failure.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WE128K32-200HSC | 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CHIP66 |
| WS512K32-20G4M | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQFP68 |
| WS512K32-55G4I | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 55 ns, CQFP68 |
| WPDE8M72V-70MDCT | 8M X 72 EDO DRAM MODULE, 70 ns, PDMA168 |
| WE512K8-150CIA | 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 150 ns, CDIP32 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W19B320B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
| W19B320BB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
| W19B320BB-H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BB-M | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BT | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
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