參數資料
型號： W19B320ATT9G
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： PROM
英文描述： 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, TSOP-48
文件頁數： 20/53頁
文件大?。?/td> 479K
代理商： W19B320ATT9G
W19B320AT/B
Publication Release Date: December 27, 2005
- 27 -
Revision A4
7.5.2
Device Geometry Definition
DESCRIPTION
ADDRESS
(WORD
MODE)
DATA
ADDRESS
(BYTE
MODE)
Device size =2N bytes
27h
0016h
4Eh
Flash device interface description (refer to CFI publication 100)
28h
29h
0002h
0000h
50h
52h
Max. number of bytes in multi-byte write=2N (00h=not supported)
2Ah
2Bh
0000h
54h
56h
Number of Erase Block Regions within devices
2Ch
0002h
58h
Erase Block Region 1 Information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100 )
2Dh
2Eh
2Fh
30h
0007h
0000h
0020h
0000h
5Ah
5Ch
5Eh
60h
Erase Block Region 2 Information
31h
32h
33h
34h
003Eh
0000h
0001h
62h
64h
66h
68h
Erase Block Region 3 Information
35h
36h
37h
38h
0000h
6Ah
6Ch
6Eh
70h
Erase Block Region 4 Information
39h
3Ah
3Bh
3Ch
0000h
72h
74h
76h
78h
相關PDF資料
PDF描述
WE128K32-200HSC 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CHIP66
WS512K32-20G4M 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQFP68
WS512K32-55G4I 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 55 ns, CQFP68
WPDE8M72V-70MDCT 8M X 72 EDO DRAM MODULE, 70 ns, PDMA168
WE512K8-150CIA 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 150 ns, CDIP32
相關代理商/技術參數
參數描述
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W19B320BB 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory
W19B320BB-H 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations
W19B320BB-M 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations
W19B320BT 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory
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