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參數(shù)資料
| 型號： | W19B320ATT9G |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 40/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 479K |
| 代理商： | W19B320ATT9G |
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W19B320AT/B
Publication Release Date: December 27, 2005
- 45 -
Revision A4
9.7 Chip/Sector Erase Waveform
2AAh
SA
VA
TWC
TAS
TCH
TAH
TWP
TCS
TDS
TDH
TWPH
TSE
Erase Command Sequence (last two cycl
Read Status Data
30h
55h
TBUSY
TRB
TVCS
Progress
In
Complete
10 for Chip Erase
555h for chip erase
Address
Data
VDD
RY/#BY
#WE
#OE
#CE
Notes :
1. SA = sector address (for Sector Erase), VA = Valid Address for reading status data (see “Write operation Status”).
2. These waveforms are for the word mode
9.8 Back-to back Read/Write Cycle Waveform
TWC
TRC
TWC
TCP
TCPH
TCE
TACC
TOE
TOEH
TWP
TWPH
TDS
TDH
TSR/W
TOH
TDF
Valid
In
Out
Valid
Valid PA
Valid RA
Valid PA
TAH
Valid
In
Valid
In
TGHWL
#WE Controlled Write Cycle
Read Cycle
#CE Controlled Write Cycle
Addresses
Data
#WE
#OE
#CE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WE128K32-200HSC | 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CHIP66 |
| WS512K32-20G4M | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQFP68 |
| WS512K32-55G4I | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 55 ns, CQFP68 |
| WPDE8M72V-70MDCT | 8M X 72 EDO DRAM MODULE, 70 ns, PDMA168 |
| WE512K8-150CIA | 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 150 ns, CDIP32 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W19B320B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
| W19B320BB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
| W19B320BB-H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BB-M | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BT | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
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