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參數(shù)資料
| 型號： | UPD789022GB-XXX-8ES-A |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, MROM, 5 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP44 |
| 封裝： | 10 X 10 MM, PLASTIC, LQFP-44 |
| 文件頁數(shù)： | 109/221頁 |
| 文件大小： | 1619K |
| 代理商： | UPD789022GB-XXX-8ES-A |
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CHAPTER 15 ELECTRICAL SPECIFICATIONS
User’s Manual U11919EJ4V0UD
197
DC Characteristics (TA = –40 to +85°C, VDD = 1.8 to 5.5 V) (2/2)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
VDD = 5.0 V
±10%Note2
1.3
2.5
mA
VDD = 3.0 V
±10%Note3
0.26
0.45
mA
IDD1
5.0 MHz crystal oscillation
operating mode
VDD = 2.0 V
±10%Note3
0.14
0.30
mA
VDD = 5.0 V
±10%Note2
0.41
0.85
mA
VDD = 3.0 V
±10%Note3
0.16
0.35
mA
IDD2
5.0 MHz crystal oscillation
HALT mode
VDD = 2.0 V
±10%Note3
0.07
0.15
mA
VDD = 5.0 V
±10%
0.1
10
A
VDD = 3.0 V
±10%
0.05
5.0
A
TA = 25
°C
0.05
3.0
A
Supply current
Note 1
(mask ROM
version)
IDD3
STOP mode
VDD = 2.0 V
±10%
0.05
3.0
A
VDD = 5.0 V
±10%Note2
4.0
15.0
mA
VDD = 3.0 V
±10%Note3
1.0
5.0
mA
IDD1
5.0 MHz crystal oscillation
operating mode
(C1 = C2 = 22 pF)
VDD = 2.0 V
±10%Note3
0.8
3.0
mA
VDD = 5.0 V
±10%Note2
0.8
5.0
mA
VDD = 3.0 V
±10%Note3
0.5
2.5
mA
IDD2
5.0 MHz crystal oscillation
HALT mode
(C1 = C2 = 22 pF)
VDD = 2.0 V
±10%Note3
0.3
1.0
mA
VDD = 5.0 V
±10%
0.1
30
A
VDD = 3.0 V
±10%
0.05
10
A
Supply current
Note 1
(
PD78F9026A)
IDD3
STOP mode
VDD = 2.0 V
±10%
0.05
10
A
Notes 1. The current flowing to the ports (including the current flowing through the on-chip pull-up resistors) is
not included.
2. High-speed mode operation (when the processor clock control register (PCC) is set to 00H)
3. Low-speed mode operation (when PCC is set to 02H)
Remark
Unless specified otherwise, the characteristics of alternate-function pins are the same as those of port
pins.
Flash Memory Write/Erase Characteristics
(TA = 10 to 40
°°°°C, VDD = 1.8 to 5.5 V, in 5.0 MHz crystal oscillation operating mode)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Write current
Note
(VDD pin)
IDDW
When VPP supply voltage = VPP1
18
mA
Write current
Note
(VPP pin)
IPPW
When VPP supply voltage = VPP1
22.5
mA
Erase current
Note
(VDD pin)
IDDE
When VPP supply voltage = VPP1
18
mA
Erase current
Note
(VPP pin)
IPPE
When VPP supply voltage = VPP1
115
mA
Unit erase time
ter
0.5
11s
Total erase time
tera
20
s
Write count
Erase/write are regarded as 1 cycle
20
Times
VPP0
In normal operation
0
0.2VDD
V
VPP supply voltage
VPP1
During flash memory programming
9.7
10.0
10.3
V
Note The current flowing to the ports (including the current flowing through the on-chip pull-up resistors) is not
included.
相關(guān)PDF資料 |
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