參數(shù)資料
型號(hào)： UMF5N
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power management (dual transistors)
中文描述： 電源管理（）雙晶體管
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： UMF5N
UMF5N
Transistors
!
Electrical characteristic curves
Tr1
3/4
0
1
100
1000
10
BASE TO EMITTER VOLTAGE : V
BE
(V)
Fig.1 Grounded emitter propagation
characteristics
C
C
(
1.4
1.0
1.2
0.4
0.6
0.8
0.2
V
CE
=2V
Pulsed
T2
°
C
T
°
C
T
4
°
C
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
Fig.2 DC current gain vs.
collector current
1
D
F
10
1000
100
Ta
=
125
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
2V
Pulsed
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
Fig.3 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current (
Ι
)
1
C
C
(
10
1000
100
Ta=25
°
C
Pulsed
I
C
/I
B
=
50
I
C
/I
B
=
20
I
C
/I
B
=
10
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current (
ΙΙ
)
1
C
C
(
10
1000
100
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
125
°
C
I
C
/I
B
=
20
Pulsed
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
Fig.5 Base-emitter saturation voltage
vs. collector current
10
B
B
100
10000
1000
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
125
°
C
I
C
/I
B
=
20
Pulsed
1
10
100
1000
EMITTER CURRENT : I
E
(mA)
Fig.6 Gain bandwidth product
vs. emitter current
1
T
T
(
10
1000
100
V
CE
=
2V
Ta
=
25
°
C
Pulsed
1
10
100
0.1
10
100
1000
Ta
=
25
°
C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
C
E
EMITTER TO BASE VOLTAGE : V
EB
(
V)
Fig.7 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
Cib
Cob
0.01
0.1
1
10
100
EMITTER CURRENT : V
CE
(V)
Fig.8 Safe operation area
0.001
T
C
(
0.01
10
0.1
1
Ta
=
25
°
C
Single Pulsed
DC
100ms
10ms1ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UMF6N Power management (dual transistors)
UMH14N General purpose (dual digital transistors)
UMH2N General purpose (dual digital transistors)
UMH6N General purpose (dual digital transistors)
UMH7N General purpose (dual digital transistors)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UMF5NTR 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL PNP 12V 500MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
UMF6N 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Power management (dual transistors)
UMF6NTR 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) PNP/N-CH 12V 500MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
UMF7N 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Power management (dual transistors)
UMF7NTR 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 COMPLEX BIOPLAR NPN+DTR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*