參數(shù)資料
型號(hào)： UMH14N
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： General purpose (dual digital transistors)
中文描述： 通用（雙數(shù)字晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 72K
代理商： UMH14N
EMG6 / UMG6N / UMH14N / FMG6A / IMH14A / IMH15A
Transistors
General purpose (dual digital transistors)
EMG6 / UMG6N / UMH14N / FMG6A /
IMH14A / IMH15A
!
Features
1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMT package.
!
Equivalent circuit
EMG6 / UMG6N
R
1
R
1
FMG6
R
1
R
1
UMH14N
(3)
R
1
R
1
R
1
R
1
IMH15A
(4)
(3)
(4)
(5)/(6)
(2)
(1)
(2)
(1)
(3)
(4)
(5)
(4) (5)
(6)
(2)
(1)
IMH14A
(4)
R
1
R
1
(3) (2)
(1)
(3)
(2)
(1)
(5)
(6)
(5)
(6)
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Pc
Tj
Tstg
Limits
50
50
5
100
300(TOTAL)
150
55
~
+
150
150(TOTAL)
EMG6 / UMG6N / UMH14N
FMG6A / IMH14A / IMH15A
Unit
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
!
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
R
1
Min.
50
50
5
100
32.9
Typ.
250
250
47
Max.
0.5
0.5
0.3
600
61.1
Unit
V
V
V
μ
A
μ
A
V
MHz
k
Conditions
Transition frequency
Input resistance
I
C
=
50
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
50
μ
A
V
CB
=
50V
V
EB
=
4V
I
C
/I
B
=
5mA/0.5mA
V
CE
/I
C
=
5V/1mA
V
CE
=
10V, I
E
=
5mA, f
=
100MHz
Transition frequency of the device.
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
!
Package, marking, and packaging specifications
Type
Package
Marking
Code
UMG6N
UMT5
G6
TR
3000
EMG6
EMT5
G6
T2R
8000
UMH14N
UMT6
H14
TR
3000
IMH14A
SMT6
H14
T108
3000
IMH15A
SMT6
H15
T110
3000
FMG6A
SMT5
G6
T148
3000
Basic ordering unit (pieces)
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參數(shù)描述
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