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參數(shù)資料
| 型號： | TMS427409A |
| 廠商： | National Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| 中文描述： | 4194304 4位擴展數(shù)據(jù)輸出動態(tài)隨機存取存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 4/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 515K |
| 代理商： | TMS427409A |
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TMS416409A, TMS417409A, TMS426409A, TMS427409A
4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT
DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES
SMKS893B – AUGUST 1996 – REVISED APRIL 1997
4
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
functional block diagram
TMS416409A, TMS426409A
R
o
w
D
e
c
o
d
e
A0
A1
A11
Timing and Control
Column-
Address
Buffers
Row-
Address
Buffers
I/O
Buffers
Data-
In
Reg.
Data-
Out
Reg.
Column Decode
Sense Amplifiers
64
256K Array
256K Array
256K Array
RAS
CAS
W
DQ1–DQ4
4
4
OE
10
12
12
4
4
Column addresses A10 and A11 are not used.
TMS417409A, TMS427409A
A0
A1
A10
32
Timing and Control
Column-
Address
Buffers
Row-
Address
Buffers
I/O
Buffers
Data-
In
Reg.
Data-
Out
Reg.
Column Decode
Sense Amplifiers
R
o
w
D
e
c
o
d
e
32
256K Array
256K Array
256K Array
256K Array
256K Array
256K Array
RAS
CAS
W
DQ1–DQ4
4
4
OE
11
11
11
4
4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TMS427409ADGA-60 | 4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS4416 | 16,384 WORD BY 4 BIT DYNAMIC RAM |
| TMS44409P | 1048576-WORD BY 4-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY |
| TMS45160P | 262144-WORD BY 16-BIT HIGH-SPEED DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS46100 | 4194304-WORD BY 1-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TMS427409ADGA-60 | 制造商:NSC 制造商全稱:National Semiconductor 功能描述:4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS428160 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:1048576-WORD BY 16-BIT HIGH-SPEED DRAMS |
| TMS428160P | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:1048576-WORD BY 16-BIT HIGH-SPEED DRAMS |
| TMS428169A | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:1048576 BY 16-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS44100 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:4194304-WORD BY 1-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
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