- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄385002 > TMS427409A (National Semiconductor Corporation) 4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TMS427409A |
| 廠商： | National Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| 中文描述： | 4194304 4位擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/37頁(yè) |
| 文件大小： | 515K |
| 代理商： | TMS427409A |
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TMS416409A, TMS417409A, TMS426409A, TMS427409A
4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT
DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES
SMKS893B – AUGUST 1996 – REVISED APRIL 1997
2
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
logic symbol (TMS416409A and TMS426409A)
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
RAS
CAS
W
OE
9
10
11
12
15
16
17
18
19
21
8
6
5
23
4
22
20D10/21D0
20D19/21D9
20D20
C20 [ROW]
G23/[REFRESH ROW]
24 [PWR DWN]
C21[COLUMN]
G24
&
23C22
23,21D
G25
24,25 EN
A
0
4194303
RAM 4096 K
×
4
2
3
24
25
A,Z26
A,22D
26
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
20D21
This symbol is in accordance with ANSI/IEEE Std 91-1984 and IEC Publication 647-12.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TMS427409ADGA-60 | 4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS4416 | 16,384 WORD BY 4 BIT DYNAMIC RAM |
| TMS44409P | 1048576-WORD BY 4-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY |
| TMS45160P | 262144-WORD BY 16-BIT HIGH-SPEED DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS46100 | 4194304-WORD BY 1-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TMS427409ADGA-60 | 制造商:NSC 制造商全稱(chēng):National Semiconductor 功能描述:4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS428160 | 制造商:TI 制造商全稱(chēng):Texas Instruments 功能描述:1048576-WORD BY 16-BIT HIGH-SPEED DRAMS |
| TMS428160P | 制造商:TI 制造商全稱(chēng):Texas Instruments 功能描述:1048576-WORD BY 16-BIT HIGH-SPEED DRAMS |
| TMS428169A | 制造商:TI 制造商全稱(chēng):Texas Instruments 功能描述:1048576 BY 16-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS44100 | 制造商:TI 制造商全稱(chēng):Texas Instruments 功能描述:4194304-WORD BY 1-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
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