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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TMS427409A |
| 廠商： | National Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| 中文描述： | 4194304 4位擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 21/37頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 515K |
| 代理商： | TMS427409A |
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TMS416409A, TMS417409A, TMS426409A, TMS427409A
4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT
DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES
SMKS893B – AUGUST 1996 – REVISED APRIL 1997
21
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
RAS
CAS
Address
W
OE
DQ1–DQ4
tRWC
Row
Column
Don’t Care
Don’t Care
Don’t Care
Data
Out
Don’t Care
Don’t Care
Data
In
tRAS
tRCD
tT
tCAS
tRP
tCRP
tCP
tT
tCAH
tASC
tRAH
tASR
tRAD
tRCS
tRWD
tRWL
tWP
tAWD
tCWD
tCAC
tDS
tDH
tAA
tCLZ
tRAC
tOEA
tOEZ
tOED
tOEH
See Note A
tCWL
Hi-Z
NOTE A: Output can go from the high-impedance state to an invalid-data state prior to the specified access time.
Figure 6. Read-Write-Cycle Timing
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TMS427409ADGA-60 | 4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS4416 | 16,384 WORD BY 4 BIT DYNAMIC RAM |
| TMS44409P | 1048576-WORD BY 4-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY |
| TMS45160P | 262144-WORD BY 16-BIT HIGH-SPEED DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS46100 | 4194304-WORD BY 1-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TMS427409ADGA-60 | 制造商:NSC 制造商全稱:National Semiconductor 功能描述:4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS428160 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:1048576-WORD BY 16-BIT HIGH-SPEED DRAMS |
| TMS428160P | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:1048576-WORD BY 16-BIT HIGH-SPEED DRAMS |
| TMS428169A | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:1048576 BY 16-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS44100 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:4194304-WORD BY 1-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
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