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參數(shù)資料
| 型號： | TMS427409A |
| 廠商： | National Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| 中文描述： | 4194304 4位擴展數(shù)據(jù)輸出動態(tài)隨機存取存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 22/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 515K |
| 代理商： | TMS427409A |
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TMS416409A, TMS417409A, TMS426409A, TMS427409A
4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT
DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES
SMKS893B – AUGUST 1996 – REVISED APRIL 1997
22
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
Data #3
Data #2
Data #1
Column #3
Column #2
Column #1
Row
DQ1–DQ4
W
OE
Address
CAS
RAS
tCEZ
tCLZ
tASC
tCRP
tCAS
tRCH
tDOH
tCAC
tRAD
tCAH
tRAH
tASR
tCP
tT
tRP
tRCS
tRAC
tAA
tAA
tCPA
tREZ
tRRH
tOEA
tRAL
tRSH
tHPC
tCSH
tRCD
tRASP
tCAL
tCAC
tRHCP
See Note A
See Note C
NOTES: A. Output can go from the high-impedance state to an invalid-data state prior to the specified access time.
B. Access time is tCPA-, tAA-, or tCAC-dependent.
C. Output is turned off by tCEZ if RAS goes high during CAS low.
Figure 7. EDO Read Cycle
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TMS427409ADGA-60 | 4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS4416 | 16,384 WORD BY 4 BIT DYNAMIC RAM |
| TMS44409P | 1048576-WORD BY 4-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY |
| TMS45160P | 262144-WORD BY 16-BIT HIGH-SPEED DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS46100 | 4194304-WORD BY 1-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TMS427409ADGA-60 | 制造商:NSC 制造商全稱:National Semiconductor 功能描述:4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS428160 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:1048576-WORD BY 16-BIT HIGH-SPEED DRAMS |
| TMS428160P | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:1048576-WORD BY 16-BIT HIGH-SPEED DRAMS |
| TMS428169A | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:1048576 BY 16-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS44100 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:4194304-WORD BY 1-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
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