參數(shù)資料
型號： TE28F640P30T85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁數(shù)： 90/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商： TE28F640P30T85
1-Gbit P30 Family
April 2005
90
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
Figure 45.
Erase Suspend/Resume Flowchart
Erase
Completed
Read Array
Data
0
0
No
Read
1
Program
Program
Loop
Read Array
Data
1
Start
Read Status
Register
SR[7] =
SR[6] =
Erase
Resumed
Read or
Program
Done
Write
Write
Idle
Idle
Write
Erase
Suspend
Read Array
or Program
None
None
Program
Resume
Data = 0xB0
Addr = Same partition address as
above
Data = 0xFF or 0x40
Addr = Any address within the
suspended partition
Check SR[7]:
1 = WSM ready
0 = WSM busy
Check SR[6]:
1 = Erase suspended
0 = Erase completed
Data = 0xD0
Addr = Any address
OpBus
Comments
Read
None
Status Register data.
Addr = Same partition
Read or
Write
None
Read array or program data from/to
block other than the one being erased
ERASE SUSPEND / RESUME PROCEDURE
If the suspended partition was placed in
Read Array mode or a Program Loop:
Write 0xB0,
Any Address
(Erase Suspend)
Write 0x70,
Same Partition
(Read Status)
Write 0xD0,
Any Address
(Erase Resume)
Write 0x70,
Same Partition
(Read Status)
Write 0xFF,
Erased Partition
(Read Array)
Write
Read
Status
Data = 0x70
Addr = Any partition address
Write
Read
Status
Register
Return partition to Status mode:
Data = 0x70
Addr = Same partition
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TE28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F160B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F800B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F400B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F160B3-B150 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TE28F640P30T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR
TE28F640P33B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
TE28F640P33T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
TE28F800B3 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
TE28F800B3B110 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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