參數(shù)資料
型號(hào): TE28F640P30T85
廠商: INTEL CORP
元件分類: DRAM
英文描述: Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述: 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝: 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁數(shù): 10/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商: TE28F640P30T85
1-Gbit P30 Family
April 2005
10
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
3.0
Package Information
3.1
56-Lead TSOP Package
Figure 1.
TSOP Mechanical Specifications
A
0
L
Detail A
Y
D
C
Z
Pin 1
E
D
1
b
Detail B
See Detail A
e
See Detail B
A
1
Seating
Plane
A
2
See Note 2
[231369-90]
See Notes 1 and 3
Table 1.
TSOP Package Dimensions (Sheet 1 of 2)
Product Information
Sym
Millimeters
Inches
Min
Nom
Max
Min
Nom
Max
Package Height
A
-
-
1.200
-
-
0.047
Standoff
A
1
0.050
-
-
0.002
-
-
Package Body Thickness
A
2
0.965
0.995
1.025
0.038
0.039
0.040
Lead Width
b
0.100
0.150
0.200
0.004
0.006
0.008
Lead Thickness
c
0.100
0.150
0.200
0.004
0.006
0.008
Package Body Length
D
1
18.200
18.400
18.600
0.717
0.724
0.732
Package Body Width
E
13.800
14.000
14.200
0.543
0.551
0.559
Lead Pitch
e
-
0.500
-
-
0.0197
-
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PDF描述
TE28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
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參數(shù)描述
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TE28F640P33B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
TE28F640P33T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?(單線) 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
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