參數(shù)資料
型號： TE28F640P30T85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁數(shù)： 101/102頁
文件大小： 1609K
代理商： TE28F640P30T85
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
101
Appendix E Ordering Information for Discrete Products
Figure 48.
Decoder for Discrete Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
F 6 4
P 3 0 B
8
E 2
T
0
Product Line Designator
28F = Intel Flash Memory
Package Designator
TE = 56-Lead TSOP, leaded
JS = 56-Lead TSOP, lead-free
RC = 64-Ball Easy BGA, leaded
PC = 64-Ball Easy BGA, lead-free
Device Density
640 = 64-Mbit
128 = 128-Mbit
256 = 256-Mbit
Product Family
P30 = Intel StrataFlash Embedded Memory
V
CC
= 1.7 – 2.0 V
V
CCQ
= 1.7 – 3.6 V
Access Speed
85 ns
Parameter Location
B = Bottom Parameter
T = Top Parameter
8 5
Table 41.
Valid Combinations for Discrete Products
64-Mbit
128-Mbit
256-Mbit
TE28F640P30B85
TE28F128P30B85
TE28F256P30B85
TE28F640P30T85
TE28F128P30T85
TE28F256P30T85
JS28F640P30B85
JS28F128P30B85
JS28F256P30B85
JS28F640P30T85
JS28F128P30T85
JS28F256P30T85
RC28F640P30B85
RC28F128P30B85
RC28F256P30B85
RC28F640P30T85
RC28F128P30T85
RC28F256P30T85
PC28F640P30B85
PC28F128P30B85
PC28F256P30B85
PC28F640P30T85
PC28F128P30T85
PC28F256P30T85
相關PDF資料
PDF描述
TE28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F160B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F800B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F400B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F160B3-B150 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
TE28F640P30T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR
TE28F640P33B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
TE28F640P33T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
TE28F800B3 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
TE28F800B3B110 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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