參數(shù)資料
型號： TE28F640P30T85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁數(shù)： 13/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商： TE28F640P30T85
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
13
3.3
QUAD+ SCSP Packages
Figure 3.
64/128-Mbit, 88-ball (80 active) QUAD+ SCSP Specifications (8x10x1.2 mm)
Millimeters
Nom
-
-
0.860
0.375
10.000
8.000
0.800
88
-
1.200
0.600
Inches
Nom
-
-
0.0339
0.0148
0.3937
0.3150
0.0315
88
-
0.0472
0.0236
Dimensions
Package Height
Ball Height
Package Body Thickness
Ball (Lead) Width
Package Body Width
Package Body Length
Pitch
Ball (Lead) Count
Seating Plane Coplanarity
Corner to Ball A1 Distance Along E
Corner to Ball A1 Distance Along D
Symbol
A
A
1
A
2
b
D
E
e
N
Y
S
1
S
2
Min
-
0.200
-
0.325
9.900
7.900
-
-
-
1.100
0.500
Max
1.200
-
-
0.425
10.100
8.100
-
-
0.100
1.300
0.700
Min
-
0.0079
-
0.0128
0.3898
0.3110
-
-
-
0.0433
0.0197
Max
0.0472
-
-
0.0167
0.3976
0.3189
-
-
0.0039
0.0512
0.0276
Top View - Ball
Down
Bottom View - Ball Up
A
A
2
D
E
Y
A
1
Drawing not to scale.
S
2
S
1
A
C
B
E
D
G
F
J
K
H
L
M
e
1
2
3
4
5
6
7
8
b
A
C
B
E
D
G
F
J
K
H
L
M
1
2
3
4
5
6
7
8
A1 Index
Mark
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TE28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F160B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F800B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F400B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F160B3-B150 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TE28F640P30T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR
TE28F640P33B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
TE28F640P33T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
TE28F800B3 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
TE28F800B3B110 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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