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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TE28F640B3BC90 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/58頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 920K |
| 代理商： | TE28F640B3BC90 |
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28F004/400B3, 28F008/800B3, 28F016/160B3, 28F320B3, 28F640B3
vi
3UHOLPLQDU\
-008
4-Mbit packaging and addressing information corrected throughout document
-009
Corrected 4-Mbit memory addressing tables in Appendices D and E
-010
Max I
changed to 25 μA
V
CC
Max on 32 M (28F320B3) changed to 3.3 V
Added 64-Mbit density and faster speed offerings
Removed access time vs. capacitance load curve
-011
-012
Changed references of 32Mbit 80ns devices to 70ns devices to reflect the faster product
offering.
Changed VccMax=3.3V reference to indicate the affected product is the 0.25
μ
m 32Mbit
device.
Minor text edits throughout document.
Number
Description
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TEA-566A | POWER MOSFET |
| TEA0655 | |
| TEA0657 | |
| TEA0665 | |
| TEA0675TD-T | Dolby Noise Reduction Circuit |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F640B3TC100 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F640B3TC90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F640C3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory |
| TE28F640C3BA70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| TE28F640C3BC70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
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