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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F640B3BC90 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 37/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 920K |
| 代理商： | TE28F640B3BC90 |
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28F004/400B3, 28F008/800B3, 28F016/160B3, 28F320B3, 28F640B3
3UHOLPLQDU\
31
4.7
Program and Erase Timings
NOTES:
1. Typical values measured at nominal voltages and T
A
= +25 °C.
2. Excludes external system-level overhead.
3. Sampled, not 100% tested.
4. x8 not available on 0.18
μ
m offerings
Symbol
Parameter
V
PP
2.7 V–3.6 V
11.4 V–12.6 V
Units
Notes
Typ
(1)
Max
Typ
(1)
Max
t
BWPB
8-KB Parameter Block
Program Time (Byte)
2, 3
0.16
0.48
0.08
0.24
s
4-KW Parameter Block
Program Time (Word)
2, 3
0.10
0.30
0.03
0.12
s
t
BWMB
64-KB Main Block
Program Time (Byte)
2, 3, 4
1.2
3.7
0.6
1.7
s
32-KW Main Block
Program Time(Word)
2, 3
0.8
2.4
0.24
1
s
t
WHQV1
/ t
EHQV1
Byte Program Time
2, 3, 4
17
165
8
185
μs
Word Program Time for
0.18 Micron Product
2,3
12
200
8
185
μs
Word Program Time for 0.25
Micron and 0.4 Micron Products
2, 3
22
200
8
185
μs
t
WHQV2
/ t
EHQV2
8-KB Parameter Block
Erase Time (Byte)
2, 3, 4
1
4
0.8
4
s
4-KW Parameter Block
Erase Time (Word)
2, 3
0.5
4
0.4
4
s
t
WHQV3
/ t
EHQV3
64-KB Main Block
Erase Time (Byte)
2, 3, 4
1
5
1
5
s
32-KW Main Block
Erase Time (Word)
2, 3
1
5
0.6
5
s
t
WHRH1
/ t
EHRH1
Program Suspend Latency
5
10
5
10
μs
t
WHRH2
/ t
EHRH2
Erase Suspend Latency
5
20
5
20
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TEA-566A | POWER MOSFET |
| TEA0655 | |
| TEA0657 | |
| TEA0665 | |
| TEA0675TD-T | Dolby Noise Reduction Circuit |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F640B3TC100 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F640B3TC90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F640C3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory |
| TE28F640C3BA70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| TE28F640C3BC70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
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