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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TE28F640B3BC90 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 39/58頁(yè) |
| 文件大小： | 920K |
| 代理商： | TE28F640B3BC90 |
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28F004/400B3, 28F008/800B3, 28F016/160B3, 28F320B3, 28F640B3
3UHOLPLQDU\
33
5.0
Reset Operations
0580_09
NOTES:
1. If t
PLPH
is <100 ns the device may still RESET but this is not guaranteed
2. .Sampled, but not 100% tested.
3. If RP# is asserted while a block erase or
word program operation is not executing, the reset will complete
within 100 ns.
Figure 9. AC Waveform: Deep Power-Down/Reset Operation
IH
V
IL
V
RP# (P)
PLPH
t
IH
V
IL
V
RP# (P)
PLPH
t
(A) Reset during Read Mode
Abort
Complete
PLRH
PHQV
PHWL
PHEL
t
t
t
PHQV
PHWL
t
t
t
(B) Reset during Program or Block Erase, <
PLPH
PLRH
t
t
IH
V
IL
V
RP# (P)
PLPH
t
Abort
Complete
PHQV
PHWL
PHEL
t
t
t
PLRH
t
Deep
Power-
Down
(C) Reset Program or Block Erase, >
PLRH
t
Reset Specifications
Symbol
Parameter
Notes
V
CC
= 2.7 V–3.6 V
Unit
Min
Max
t
PLPH
RP# Low to Reset during Read
(If RP# is tied to V
CC
, this specification is not applicable)
1,2
100
ns
t
PLRH
RP# Low to Reset during Block Erase or Program
2,3
22
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TEA-566A | POWER MOSFET |
| TEA0655 | |
| TEA0657 | |
| TEA0665 | |
| TEA0675TD-T | Dolby Noise Reduction Circuit |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F640B3TC100 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F640B3TC90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F640C3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory |
| TE28F640C3BA70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| TE28F640C3BC70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
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