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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F008S3-150 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | BYTE-WIDE SMART 3 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 2.7V PROM, 150 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 10 X 20 MM, TSOP-40 |
| 文件頁數(shù)： | 37/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 703K |
| 代理商： | TE28F008S3-150 |
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E
BYTE-WIDE SMART 3 FlashFile MEMORY FAMILY
37
PRELIMINARY
W3
ADDRESSES [A]
DATA [D/Q]
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IN
D
IN
A
IN
A
Valid
SRD
IN
D
High Z
IH
V
IL
V
V [V]
A
B
C
D
F
E
PPH2,1
V
PPLK
V
IN
D
RP# [P]
HH
V
V
IL
V
IH
RY/BY# [R]
IH
V
IL
V
CE# (WE#) [E(W)]
WE# (CE#) [W(E)]
OE# [G]
W1
W2
W4
W5
W6
W9
W7
W16
W12
W8
W13
W10
W15
W14
W11
NOTES:
A.
B.
C.
D.
E.
F.
V
CC
power-up and standby.
Write block erase or program setup.
Write block erase confirm or valid address and data..
Automated erase or program delay.
Read status register data.
Write Read Array command.
Figure 17. AC Waveform for Write Operations
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F004S5-100 | BYTE-WIDE SMART 5 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT |
| TE28F016S5-110 | BYTE-WIDE SMART 5 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT |
| TE28F008S5-100 | BYTE-WIDE SMART 5 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT |
| TE28F010-90 | 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TE28F010-150 | 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F008S5-100 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:BYTE-WIDE SMART 5 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT |
| TE28F008SA-100 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:8-MBIT (1-MBIT x 8) FlashFileTM MEMORY |
| TE28F008SC-100 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:BYTE-WIDE SmartVoltage FlashFile⑩ MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT |
| TE28F010-120 | 制造商:Intel 功能描述: |
| TE28F010-150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
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