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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F008S3-150 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | BYTE-WIDE SMART 3 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 2.7V PROM, 150 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 10 X 20 MM, TSOP-40 |
| 文件頁數(shù)： | 32/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 703K |
| 代理商： | TE28F008S3-150 |
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BYTE-WIDE SMART 3 FlashFile MEMORY FAMILY
E
32
PRELIMINARY
TEST POINTS
INPUT
OUTPUT
1.35
2.7
0.0
1.35
AC test inputs are driven at 2.7 V for a Logic "1" and 0.0 V for a Logic "0." Input timing begins, and output timing ends, at
1.35 V. Input rise and fall times (10% to 90%) <10 ns.
Figure 12. Transient Input/Output Reference Waveform for V
CC
= 2.7 V
3.6 V
TEST POINTS
INPUT
OUTPUT
1.5
3.0
0.0
1.5
AC test inputs are driven at 3.0 V for a Logic "1" and 0.0 V for a Logic "0." Input timing begins, and output timing ends, at 1.5 V.
Input rise and fall times (10% to 90%) <10 ns.
Figure 13. Transient Input/Output Reference Waveform for V
CC
= 3.3 V ± 0.3 V
DEVICE
UNDER
TEST
1.3V
1N914
R
L
C
L
OUT
= 3.3 K
NOTE:
C
L
includes Jig Capacitance
Figure 14. Transient Equivalent Testing
Load Circuit
Test Configuration Capacitance Loading Value
Test Configuration
C
L
(pF)
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, 2.7 V
3.6 V
50
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F004S5-100 | BYTE-WIDE SMART 5 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT |
| TE28F016S5-110 | BYTE-WIDE SMART 5 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT |
| TE28F008S5-100 | BYTE-WIDE SMART 5 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT |
| TE28F010-90 | 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TE28F010-150 | 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F008S5-100 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:BYTE-WIDE SMART 5 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT |
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| TE28F008SC-100 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:BYTE-WIDE SmartVoltage FlashFile⑩ MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT |
| TE28F010-120 | 制造商:Intel 功能描述: |
| TE28F010-150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
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