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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F008S3-150 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | BYTE-WIDE SMART 3 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 2.7V PROM, 150 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 10 X 20 MM, TSOP-40 |
| 文件頁數(shù)： | 33/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 703K |
| 代理商： | TE28F008S3-150 |
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E
BYTE-WIDE SMART 3 FlashFile MEMORY FAMILY
33
PRELIMINARY
IH
V
IL
V
RP# (P)
IH
V
IL
V
RY/BY# (R)
P1
P2
Figure 16. AC Waveform for Reset Operation
Table 7. Reset Specifications
(1)
—Commercial Temperature
2.7 V V
CC
3.3 V V
CC
#
Sym
Parameter
Notes Min
Max
Min
Max
Unit
P1
t
PLPH
RP# Pulse Low Time (If RP# is tied to V
CC
, this
specification is not applicable)
100
100
ns
P2
t
PLRH
RP# Low to Reset during Block Erase, Program, or
Lock-Bit Configuration
2,3
20
μs
NOTES:
1.
2.
3.
These specifications are valid for all product versions (packages and speeds).
If RP# is asserted when the WSM is not busy (RY/BY# =
“1”), the reset will complete within 100 ns.
A reset time, t
PHQV
, is required from the latter of RY/BY# or RP# going high until outputs are valid.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F004S5-100 | BYTE-WIDE SMART 5 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT |
| TE28F016S5-110 | BYTE-WIDE SMART 5 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT |
| TE28F008S5-100 | BYTE-WIDE SMART 5 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT |
| TE28F010-90 | 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TE28F010-150 | 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F008S5-100 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:BYTE-WIDE SMART 5 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT |
| TE28F008SA-100 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:8-MBIT (1-MBIT x 8) FlashFileTM MEMORY |
| TE28F008SC-100 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:BYTE-WIDE SmartVoltage FlashFile⑩ MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT |
| TE28F010-120 | 制造商:Intel 功能描述: |
| TE28F010-150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
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