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參數(shù)資料
| 型號： | T431616B-20C |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16內(nèi)存為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 7/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 567K |
| 代理商： | T431616B-20C |
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TE
CH
tm
AC OPERATING CONDITIONS
(V
DD
= +2.7 to +3.6V , T
A
=
-10 to +85
°
C)
T431616B
Taiwan Memory Technology, Inc. reserves the right
P. 7
to change products or specifications without notice.
Publication Date: JUL. 2001
Revision:A
Parameter
Value
Unit
Input levels (V
IH
/V
IL
)
3.0 / 0
V
Input timing measurement reference level
1.4
V
Input rise and fall time
t
r /
t
f = 1 / 1
1.4
See Fig.2
ns
Output timing measurement reference level
Output load condition
V
3 . 3 V
1200 ohm
Output
870 ohm
3 0 p f
V O H ( D C ) = 2 . 4 , I O H = - 2 m A
V O L ( D C ) = 0 . 4 , I O L = 2 m A
Z O = 5 0 o h m
Output
50
ohm
Vtt=1.4v
3 0 p f
(Fig.1) DC Output Load Circuit (Fig.2)AC Output Load Circuit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T431616B-20S | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-6S | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-6SG | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-7S | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T431616B-20S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-6S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-6SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-7S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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