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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | T431616B-20C |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬(wàn)× 16內(nèi)存為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 21/31頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 567K |
| 代理商： | T431616B-20C |
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TE
CH
tm
Read & Write Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4
T431616B
Taiwan Memory Technology, Inc. reserves the right
P.21
to change products or specifications without notice.
Publication Date: JUL. 2001
Revision:A
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
B A
A 1 0 / A P
C L = 2
C L = 3
W E
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1 0
1 1
1 2
1 3
1 4
1 5
1 6
1 7
1 8
1 9
H I G H
D Q M
D Q
: D o n ' t c a r e
QAa0
R A a
C A a
R B b
C B b
R A c
C A c
R A a
R B b
R A c
QAa1
QAa2
QAa3
QAa0
QAa1
QAa2
QAa3
DBb0
DBb1
DBb2
DBb3
DBb0
DBb1
DBb2
DBb3
QAc0
QAc0
QAc1
QAc2
QAc1
*Note1
t
CDL
Row Active
(A-Bank)
Read (A-
Bank)
Row Active
(B-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Write (B-
Bank)
Row Active
(A-Bank)
Read (A-
Bank)
*Note : 1.
t
CDL
should be met to complete write.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T431616B-20S | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-6S | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-6SG | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-7S | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T431616B-20S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-6S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-6SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-7S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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