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參數(shù)資料
| 型號： | T431616B-20C |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16內(nèi)存為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 20/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 567K |
| 代理商： | T431616B-20C |
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TE
CH
tm
Page Write cycle at Different Bank @ Burst Length = 4
0
1
2
3
4
5
T431616B
Taiwan Memory Technology, Inc. reserves the right
P.20
to change products or specifications without notice.
Publication Date: JUL. 2001
Revision:A
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
BA
A 1 0 / A P
D Q
W E
D Q M
6
7
8
9
1 0
1 1
1 2
1 3
1 4
1 5
1 6
1 7
1 8
1 9
H I G H
:Don't care
Row Active
(A-Bank)
Write (A-
Bank)
Row Active
(B-Bank)
Write (B-
Bank)
Write (A-
Bank)
Write (B-
Bank)
Precharge
(A-Bank)
*Note1
*Note2
t
CDL
t
RDL
R A a
C A a
R B b
C B b
C A c
C B d
R A a
R B b
DAa0
DAa1
DAa2
DAa3
DBb0
DBb1
DBb2
DBb3
DAc0
DAc1
DBd0
DBd1
*Note : 1. To interrupt burst write by row precharge, DQM should be asserted to mask invalid input data.
2. To interrupt burst write by row precharge, both the write and the precharge banks must be the same.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T431616B-20S | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-6S | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-6SG | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-7S | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T431616B-20S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-6S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-6SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-7S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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