- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361343 > T431616B-20C (TM Technology, Inc.) 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM PDF資料下載
參數資料
| 型號： | T431616B-20C |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16內存為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件頁數： | 17/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 567K |
| 代理商： | T431616B-20C |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁當前第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁
TE
CH
tm
Read & Write Cycle at Same Bank @Burst Length = 4
T431616B
Taiwan Memory Technology, Inc. reserves the right
P.17
to change products or specifications without notice.
Publication Date: JUL. 2001
Revision:A
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
B A
A 1 0 / A P
C L = 2
C L = 3
W E
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1 0
1 1
1 2
1 3
1 4
1 5
1 6
1 7
1 8
1 9
H I G H
t
RC
D Q M
D Q
: D o n ' t c a r e
*Note1
t
RCD
*Note2
*Note4
*RAC
*Note3
*Note4
R a
C a 0
R b
C b 0
R b
R a
Q a 0
Q a 1
Q a 2
Q a 3
Q a 0
Q a 1
Q a 2
Q a 3
D b 0
D b 0
D b 1
D b 1
D b 2
D b 2
D b 3
D b 3
t
SAC
t
OH
t
OH
t
SAC
t
SHZ
t
SHZ
t
RDL
t
RDL
Row
Active (A-
Bank)
Read (A-
Bank)
Precharg
e (A-
Bank)
Row Active
(A-Bnak)
Write (A-
Bnak)
Precharge
(a-Bnak)
*Note : 1. Minimum row cycle times is requiqed to complete internal DRAM operation.
2. Row precharge can interrupt burst on any cycle. [CAS Latency-1] number of valid output data is
available after Row precharge. Last valid output will be Hi-Z(
t
SHZ
) after the clock.
3. Access time from Row active command.
t
CC
*(
t
RCD
+CAS latency-1)+
t
SAC
4. Output will be Hi-Z after the end of burst.(1,2,4,8 bit burst)Burst can’t end in Full Page Mode.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T431616B-20S | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-6S | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-6SG | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-7S | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| T431616B-20S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-6S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-6SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-7S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。