參數(shù)資料
型號： STM32W108HBU7
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, QCC40
封裝： 6 X 6 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFQFPN-40
文件頁數(shù)： 94/198頁
文件大?。?/td> 2871K
代理商： STM32W108HBU7
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STM32W108CB, STM32W108HB
Electrical characteristics
Doc ID 16252 Rev 3
183/198
Table 50 describes the key ADC parameters measured at 25°C and VDD_PADS at 3.0 V, for
a sampling rate of 6 MHz. ADC_HVSELP and ADC_HVSELN are programmed to 0 to
disable the input buffer. The single-ended measurements were done at finput = 7.7% fNyquist;
0 dBFS level (where full-scale is a 1.2 V p-p swing). The differential measurements were
done at finput = 7.7% fNyquist; -6 dBFS level (where full-scale is a 2.4 V p-p swing).
Note:
INL and DNL are referenced to a LSB of the Equivalent ADC Bits shown in the last row of
Table 50. ENOB (effective number of bits) can be calculated from either SNR (signal to non-
harmonic noise ratio) or SINAD (signal-to-noise and distortion ratio).
Table 51 lists other specifications for the ADC not covered in Table 49 and Table 50.
Table 50.
ADC module key parameters for 6 MHz sampling
Parameter
Performance
ADC_PERIOD
0
1
2
3
4
5
6
7
Conversion Time (s)
5.33
10.7
21.3
42.7
85.3
171
341
683
Nyquist Freq (kHz)
93.8
46.9
23.4
11.7
5.86
2.93
1.46
0.732
3 dB Cut-off (kHz)
56.5
28.3
14.1
7.07
3.53
1.77
0.883
0.442
INL (codes peak)
TBD
INL (codes RMS)
TBD
DNL (codes peak)
TBD
DNL (codes RMS)
TBD
ENOB (from single-cycle test)
TBD
SNR (dB)
Single-Ended
Differential
TBD
SINAD (dB)
Single-Ended
Differential
TBD
SDFR (dB)
Single-Ended
Differential
TBD
THD (dB)
Single-Ended
Differential
TBD
ENOB (from SNR)
Single-Ended
Differential
TBD
ENOB (from SINAD)
Single-Ended
Differential
TBD
Equivalent ADC Bits
5
[15:11]
6
[15:10]
7
[15:9]
8
[15:8]
9
[15:7]
10
[15:6]
11
[15:5]
12
[15:4]
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PDF描述
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