參數(shù)資料
型號: STGF7NC60HD
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
中文描述: N溝道第14A - 600V的- TO-220/TO-220FP/DPAK非常IGBT的快速PowerMESH
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代理商: STGF7NC60HD
STGP7NC60HD - STGF7NC60HD - STGB7NC60HD
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Table 3: Absolute Maximum ratings
Symbol
( )
Pulse width limited by max. junction temperature.
Table 4: Thermal Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
=25
°
C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
Table 5: Main Parameters
Symbol
Parameter
V
BR(CES)
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
I
CES
Collector cut-off Current
(V
GE
= 0)
V
CE
= Max Rating, T
C
= 125
°
C
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
V
GE(th)
Gate Threshold Voltage
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 μA
V
CE(sat)
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
GE
= 15V, I
C
= 7 A, Tc= 125
°
C
(#) Calculated according to the iterative formula:
Parameter
Value
Unit
STGP7NC60HD
STGB7NC60HD
STGF7NC60HD
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
( )
I
F
P
TOT
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
600
V
Emitter-Collector Voltage
20
V
Gate-Emitter Voltage
±20
V
Collector Current (continuous) at T
C
= 25
°
C (#)
Collector Current (continuous) at T
C
= 100
°
C (#)
25
10
A
14
6
A
Collector Current (pulsed)
50
A
Diode RMS Forward Current at T
C
= 25
°
C
Total Dissipation at T
C
= 25
°
C
Derating Factor
20
A
80
25
W
0.64
0.20
W/
°
C
V
ISO
T
stg
T
j
Insulation Withstand Voltage A.C.(t = 1 sec; Tc = 25
°
C)
--
2500
V
Storage Temperature
55 to 150
°
C
Operating Junction Temperature
Min.
Typ.
Max.
1.56
Rthj-case
Thermal Resistance Junction-case
TO-220
D2PAK
TO-220FP
°
C/W
5.0
62.5
°
C/W
°
C/W
°
C
Rthj-amb
T
L
Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose
(1.6 mm from case, for 10 sec.)
300
Test Conditions
I
C
= 1 mA, V
GE
= 0
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
V
CE
= Max Rating, T
C
= 25
°
C
10
1
μA
mA
V
GE
= ± 20V , V
CE
= 0
±100
nA
3.75
5.75
V
V
GE
= 15V, I
C
= 7 A
1.85
1.7
2.5
V
V
ICTC
)
C
)
TCIC
(
)
×
RTHJ
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGP7NC60HD N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGD3NB60SDT4 N-CHANNEL 3A - 600V DPAK POWERMESH IGBT
STGD3NB60SD N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT
STGD3NB60St4 24 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
STGD3NB60S N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGF8NC60KD 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGFL6NC60D 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 500V 0.250 Ohm 12A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGFL6NC60DI 功能描述:IGBT 晶體管 6 A 600V HYPER FAST IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGFW20H65FB 功能描述:IGBT 650V 40A 52W TO3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2V @ 15V,20A 功率 - 最大值:52W 開關(guān)能量:77μJ(開),170μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:120nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:30ns/139ns 測試條件:400V,20A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-3PFM,SC-93-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STGFW20V60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 52W TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.2V @ 15V,20A 功率 - 最大值:52W 開關(guān)能量:200μJ(開),130μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:116nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:38ns/149ns 測試條件:400V,20A,15V 反向恢復(fù)時間(trr):40ns 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30