參數(shù)資料
型號: STGF7NC60HD
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
中文描述: N溝道第14A - 600V的- TO-220/TO-220FP/DPAK非常IGBT的快速PowerMESH
文件頁數(shù): 12/15頁
文件大?。?/td> 430K
代理商: STGF7NC60HD
STGP7NC60HD - STGF7NC60HD - STGB7NC60HD
12/15
DIM.
mm.
inch
MIN.
TYP
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.32
4.57
0.178
0.180
A1
0.00
0.25
0.00
0.009
b
0.71
0.91
0.028
0.350
b2
1.15
1.40
0.045
0.055
c
0.46
0.61
0.018
0.024
c2
1.22
1.40
0.048
0.055
D
8.89
9.02
9.40
0.350
0.355
0.370
D1
8.01
0.315
E
10.04
10.28
0.395
0.404
e
2.54
0.010
H
13.10
13.70
0.515
0.540
L
1.30
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0.051
0.067
L1
1.15
1.39
0.045
0.054
L2
1.27
1.77
0.050
0.069
L4
2.70
3.10
0.106
0.122
V2
0
°
8
°
0
°
8
°
TO-263 (D
2
PAK) MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGP7NC60HD N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGD3NB60SDT4 N-CHANNEL 3A - 600V DPAK POWERMESH IGBT
STGD3NB60SD N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT
STGD3NB60St4 24 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
STGD3NB60S N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGF8NC60KD 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGFL6NC60D 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 500V 0.250 Ohm 12A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGFL6NC60DI 功能描述:IGBT 晶體管 6 A 600V HYPER FAST IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGFW20H65FB 功能描述:IGBT 650V 40A 52W TO3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2V @ 15V,20A 功率 - 最大值:52W 開關(guān)能量:77μJ(開),170μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:120nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:30ns/139ns 測試條件:400V,20A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-3PFM,SC-93-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STGFW20V60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 52W TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.2V @ 15V,20A 功率 - 最大值:52W 開關(guān)能量:200μJ(開),130μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:116nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:38ns/149ns 測試條件:400V,20A,15V 反向恢復(fù)時間(trr):40ns 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30