參數(shù)資料
型號: STGF7NC60HD
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
中文描述: N溝道第14A - 600V的- TO-220/TO-220FP/DPAK非常IGBT的快速PowerMESH
文件頁數(shù): 10/15頁
文件大?。?/td> 430K
代理商: STGF7NC60HD
STGP7NC60HD - STGF7NC60HD - STGB7NC60HD
10/15
DIM.
mm.
TYP
inch
TYP.
MIN.
4.40
0.61
1.15
0.49
15.25
10
2.40
4.95
1.23
6.20
2.40
13
3.50
MAX.
4.60
0.88
1.70
0.70
15.75
10.40
2.70
5.15
1.32
6.60
2.72
14
3.93
MIN.
0.173
0.024
0.045
0.019
0.60
0.393
0.094
0.194
0.048
0.244
0.094
0.511
0.137
MAX.
0.181
0.034
0.066
0.027
0.620
0.409
0.106
0.202
0.052
0.256
0.107
0.551
0.154
A
b
b1
c
D
E
e
e1
F
H1
J1
L
L1
L20
L30
P
Q
16.40
28.90
0.645
1.137
3.75
2.65
3.85
2.95
0.147
0.104
0.151
0.116
TO-220 MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGP7NC60HD N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGD3NB60SDT4 N-CHANNEL 3A - 600V DPAK POWERMESH IGBT
STGD3NB60SD N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT
STGD3NB60St4 24 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
STGD3NB60S N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT
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參數(shù)描述
STGF8NC60KD 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGFL6NC60D 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 500V 0.250 Ohm 12A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGFL6NC60DI 功能描述:IGBT 晶體管 6 A 600V HYPER FAST IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGFW20H65FB 功能描述:IGBT 650V 40A 52W TO3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2V @ 15V,20A 功率 - 最大值:52W 開關(guān)能量:77μJ(開),170μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:120nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:30ns/139ns 測試條件:400V,20A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-3PFM,SC-93-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STGFW20V60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 52W TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.2V @ 15V,20A 功率 - 最大值:52W 開關(guān)能量:200μJ(開),130μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:116nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:38ns/149ns 測試條件:400V,20A,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):40ns 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30