參數(shù)資料
型號(hào)： STGD3NB60St4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 24 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
中文描述： 24字符X2行，5X7點(diǎn)矩陣字符和光標(biāo)
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 83K
代理商： STGD3NB60ST4
STGD3NB60S
N-CHANNEL 3A - 600V DPAK
Power MESH
IGBT
PRELIMINARY DATA
I
HIGH INPUT IMPEDANCE
(VOLTAGEDRIVEN)
I
VERY LOW ON-VOLTAGE DROP (V
cesat
)
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
OFFLOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
I
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)
POWERPACKAGEIN TAPE& REEL
(SUFFIX ”T4”)
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based
on a patented strip layout, STMicroelectronics
has designed an advanced family of IGBTs, the
PowerMESH
IGBTs,
perfomances. The suffix ”S” identifies a family
optimized to achieve minimum on-voltage drop
for low frequencyapplications (<1kHz).
with
outstanding
APPLICATIONS
I
LIGHT DIMMER
I
STATIC RELAYS
I
MOTOR CONTROL
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
Reverse Battery Protection
600
V
20
V
Gate-Emitter Voltage
Collector Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Collector Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
±
20
6
V
A
I
C
3
A
I
CM
(
)
P
tot
Collector Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
24
A
40
W
0.32
W/
o
C
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 150
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
150
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
I
C
3 A
STGD3NB60S
600 V
< 1.5 V
June 1999
1
3
DPAK
TO-252
(Suffix ”T4”)
1/8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGD3NB60S N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT
STGD5NB120SZ-1 40 Characters x 1 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
STGD5NB120SZ N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT
STGD5NB120SZT4 N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT
STGD7NB60FT4 Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Package/Case:MS-013; Reel Quantity:1500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:58V; Capacitance:70pF; Forward Voltage:5V; Holding Current:120mA; Leakage Current:5uA RoHS Compliant: NA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGD4M65DF2 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):16A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，4A 功率 - 最大值:68W 開(kāi)關(guān)能量:40μJ（開(kāi)），136μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:15.2nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:12ns/86ns 測(cè)試條件:400V，4A，47 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:133ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STGD5H60DF 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.95V @ 15V，5A 功率 - 最大值:83W 開(kāi)關(guān)能量:56μJ（開(kāi)），78.5μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:43nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:30ns/140ns 測(cè)試條件:400V，5A，47 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:134.5ns 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STGD5NB120SZ 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT
STGD5NB120SZ-1 功能描述:IGBT 晶體管 5 A 1200V LOW DROP INTERN CLAMPED IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD5NB120SZT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 1200 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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