參數(shù)資料
型號: STGF7NC60HD
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
中文描述: N溝道第14A - 600V的- TO-220/TO-220FP/DPAK非常IGBT的快速PowerMESH
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文件大?。?/td> 430K
代理商: STGF7NC60HD
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STGP7NC60HD - STGF7NC60HD - STGB7NC60HD
L2
A
B
D
E
H
G
L6
F
L3
G
1 2 3
F
F
L7
L4
L5
DIM.
mm.
TYP
inch
TYP.
MIN.
4.4
2.5
2.5
0.45
0.75
1.15
1.15
4.95
2.4
10
MAX.
4.6
2.7
2.75
0.7
1
1.7
1.7
5.2
2.7
10.4
MIN.
0.173
0.098
0.098
0.017
0.030
0.045
0.045
0.195
0.094
0.393
MAX.
0.181
0.106
0.108
0.027
0.039
0.067
0.067
0.204
0.106
0.409
A
B
D
E
F
F1
F2
G
G1
H
L2
L3
L4
L5
L6
L7
16
0.630
28.6
9.8
2.9
15.9
9
3
30.6
10.6
3.6
16.4
9.3
3.2
1.126
.0385
0.114
0.626
0.354
0.118
1.204
0.417
0.141
0.645
0.366
0.126
TO-220FP MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGP7NC60HD N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGD3NB60SDT4 N-CHANNEL 3A - 600V DPAK POWERMESH IGBT
STGD3NB60SD N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT
STGD3NB60St4 24 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
STGD3NB60S N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGF8NC60KD 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGFL6NC60D 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 500V 0.250 Ohm 12A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGFL6NC60DI 功能描述:IGBT 晶體管 6 A 600V HYPER FAST IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGFW20H65FB 功能描述:IGBT 650V 40A 52W TO3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2V @ 15V,20A 功率 - 最大值:52W 開關(guān)能量:77μJ(開),170μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:120nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:30ns/139ns 測試條件:400V,20A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-3PFM,SC-93-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STGFW20V60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 52W TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.2V @ 15V,20A 功率 - 最大值:52W 開關(guān)能量:200μJ(開),130μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:116nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:38ns/149ns 測試條件:400V,20A,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):40ns 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30