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參數(shù)資料
| 型號： | STGB20NB32LZ-1 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH⑩ IGBT |
| 中文描述： | N通道鉗位20A條- D2PAK/I2PAK內(nèi)部鉗位PowerMESH⑩IGBT的 |
| 文件頁數(shù)： | 7/11頁 |
| 文件大小： | 462K |
| 代理商： | STGB20NB32LZ-1 |
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STGB20NB32LZ - STGB20NB32LZ-1
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 3:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STGB3NB60K | N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT |
| STGD3NB60KT4 | N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT |
| STGD3NB60K | N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT |
| STGB7NB60HDT4 | Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:DO-214AA; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:25V; Capacitance:110pF RoHS Compliant: No |
| STGB7NB60HD | N-CHANNEL 7A - 600V DPAK PowerMESH IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| STGB20NB37LZ | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Channel 20 Amp IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGB20NB37LZ_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH TM IGBT |
| STGB20NB37LZT4 | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch Clamped 20 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGB20NB41LZ | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
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