參數(shù)資料
型號(hào)： STGB20NB32LZ-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH⑩ IGBT
中文描述： N通道鉗位20A條- D2PAK/I2PAK內(nèi)部鉗位PowerMESH⑩IGBT的
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大?。?/td> 462K
代理商： STGB20NB32LZ-1
STGB20NB32LZ - STGB20NB32LZ-1
2/11
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
Rthc-sink
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
BV
(CES)
Clamped Voltage
I
C
= 2 mA, V
GE
= 0, Tc= - 40°C
I
C
= 2 mA, V
GE
= 0, Tc= 25°C
I
C
= 2 mA, V
GE
= 0, Tc= 150°C
BV
(ECR)
Emitter Collector Break-down
Voltage
ON (1)
Symbol
V
GE(th)
DYNAMIC
Symbol
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Case-sink Typ
1
°C/W
°C/W
°C/W
62.5
0.2
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
330
355
380
V
325
350
375
V
320
345
370
V
I
C
= 75 mA, Tc = 25°C
20
28
V
BV
GE
Gate Emitter Break-down
Voltage
I
G
= ± 2 mA
12
14
16
V
I
CES
Collector cut-off Current
(V
GE
= 0)
V
CE
= 15 V, V
GE
=0 ,T
C
=150 °C
V
CE
=200 V, V
GE
=0 ,T
C
=150°C
V
GE
= ± 10V , V
CE
= 0
10
μA
100
μA
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
± 400
± 660
± 1000
μA
R
GE
Gate Emitter Resistance
10
15
25
K
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA, Tc=-40°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA, Tc= 25°C
V
CE
=V
GE
, I
C
= 250μA, Tc=150°C
V
GE
=4.5V, I
C
= 10 A, Tc= 25°C
V
GE
=4.5V, I
C
= 10 A, Tc= 150°C
V
GE
=4.5V, I
C
= 20 A, Tc= 25°C
V
GE
=4.5V, I
C
= 20 A, Tc= 150°C
1.2
1.4
2
V
1
V
0.6
V
V
CE(SAT)
Collector-Emitter Saturation
Voltage
1.1
1.8
V
1
1.7
V
1.35
2
V
1.25
2
V
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
C
ies
C
oes
Forward Transconductance
V
CE
= 25 V
,
I
C
=20 A
V
CE
= 25 V, f = 1 MHz, V
GE
= 0
35
S
Input Capacitance
2300
pF
Output Capacitance
165
pF
C
res
Reverse Transfer
Capacitance
Gate Charge
28
pF
Q
g
V
CE
= 280 V, I
C
= 20 A,
V
GE
= 5 V
51
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGB3NB60K N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGD3NB60KT4 N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGD3NB60K N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGB7NB60HDT4 Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:DO-214AA; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:25V; Capacitance:110pF RoHS Compliant: No
STGB7NB60HD N-CHANNEL 7A - 600V DPAK PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGB20NB32LZT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch Clamped 20 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB20NB37LZ 功能描述:IGBT 晶體管 N-Channel 20 Amp IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB20NB37LZ_03 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH TM IGBT
STGB20NB37LZT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch Clamped 20 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB20NB41LZ 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
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