參數(shù)資料
型號(hào)： STGB20NB32LZ-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH⑩ IGBT
中文描述： N通道鉗位20A條- D2PAK/I2PAK內(nèi)部鉗位PowerMESH⑩IGBT的
文件頁(yè)數(shù)： 3/11頁(yè)
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代理商： STGB20NB32LZ-1
3/11
STGB20NB32LZ - STGB20NB32LZ-1
FUNCTIONAL CHARACTERISTICS
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
SWITCHING OFF
Symbol
t
c
t
r
(V
off
)
t
f
t
d
(
off
)
E
off
(**)
t
c
t
r
(V
off
)
t
f
t
d
(
off
)
E
off
(**)
(**)Losses Include Also the Tail (jedec Standardization)
Symbol
II
Parameter
Test Conditions
Min.
80
Typ.
Max.
Unit
A
Latching Current
V
Clamp
= 250 V, T
C
= 150 °C
R
GOFF
= 1K
, V
GE
= 4.5 V
R
GOFF
= 1K
, L = 3 mH ,Tc=25°C
R
GOFF
=1K
, L = 3mH ,Tc=150°C
U.I.S.
Functional Test Open
Secondary Coil
21.6
15
26
18
A
A
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
2.3
0.6
Max.
Unit
μs
μs
Delay Time
Rise Time
V
CC
= 250 V, I
C
= 20 A
R
G
= 1K
, V
GE
= 4.5 V
V
CC
= 250 V, I
C
= 20 A
R
G
=1K
, V
GE
= 4.5 V
V
CC
= 250 V, I
C
= 20 A, Tc=25°C
R
G
=1K
, V
GE
= 4.5 V, Tc=150°C
Turn-on Current Slope
550
A/μs
Eon
Turn-on Switching Losses
8.8
9.2
mJ
mJ
Parameter
Test Conditions
V
cc
= 250 V, I
C
= 20 A,
R
GE
= 1 K
, V
GE
= 4.5 V
Min.
Typ.
Max.
Unit
Cross-Over Time
4.8
μs
Off Voltage Rise Time
2.6
μs
Fall Time
2
μs
Off Voltage Delay Time
11.5
μs
Turn-off Switching Loss
11.8
mJ
Cross-Over Time
V
cc
= 250 V, I
C
= 20 A,
R
GE
= 1 K
, V
GE
= 4.5 V
Tc = 150 °C
7.8
μs
Off Voltage Rise Time
3.5
μs
Fall Time
3.9
μs
Off Voltage Delay Time
12
μs
Turn-off Switching Loss
17.8
mJ
Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGB3NB60K N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGD3NB60KT4 N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGD3NB60K N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGB7NB60HDT4 Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:DO-214AA; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:25V; Capacitance:110pF RoHS Compliant: No
STGB7NB60HD N-CHANNEL 7A - 600V DPAK PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGB20NB32LZT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch Clamped 20 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB20NB37LZ 功能描述:IGBT 晶體管 N-Channel 20 Amp IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB20NB37LZ_03 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH TM IGBT
STGB20NB37LZT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch Clamped 20 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB20NB41LZ 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
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