參數(shù)資料
型號： ST72P621L4B1
英文描述： LOW SPEED USB 8-BIT MCU WITH 3 ENDPOINTS. FLASH OR ROM MEMORY. LVD. WDG. 10-BIT ADC. 2 TIMERS. SCI. SPI
中文描述： 低速USB 8端點與3位微控制器。 FLASH或ROM存儲器。內(nèi)徑。水分散粒劑。 10位ADC。 2定時器。脊髓損傷。的SPI
文件頁數(shù)： 19/133頁
文件大?。?/td> 1864K
代理商： ST72P621L4B1
ST7262
115/133
I/O PORT PIN CHARACTERISTICS (Cont’d)
Figure 79. Typical VDD-VOH vs. VDD (high sink port)
12.9 CONTROL PIN CHARACTERISTICS
12.9.1 Asynchronous RESET Pin
Subject to general operating conditions for VDD, fCP, and TA unless otherwise specified.
Notes:
1. Unless otherwise specified, typical data are based on TA=25°C and VDD=5V, not tested in production.
2. Data based on characterization results, not tested in production.
3. Hysteresis voltage between Schmitt trigger switching levels. Based on characterization results, not tested.
4. The IIO current sunk must always respect the absolute maximum rating specified in Section 12.2 and the sum of IIO (I/
O ports and control pins) must not exceed IVSS.
5. The RON pull-up equivalent resistor is based on a resistive transistor (corresponding ION current characteristics de-
scribed in Figure 80). This data is based on characterization results, not tested in production.
6. To guarantee the reset of the device, a minimum pulse has to be applied to RESET pin. All short pulses applied on
RESET pin with a duration below th(RSTL)in can be ignored.
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
3.5
4
4.5
5
5.5
6
Vdd (V)
V
DD
-V
OD
(V
)a
tI
IO
=-
2
m
A
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
3.5
4
4.5
5
5.5
6
Vdd (V)
V
DD
-V
OD
(V
)a
tI
IO
=-
5
m
A
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ 1)
Max
Unit
VIH
Input High Level Voltage
0.7xVDD
VDD
V
VIL
Input Low Voltage
VSS
0.3xVDD
V
Vhys
Schmitt trigger voltage hysteresis 3)
400
mV
VOL
Output low level voltage 4)
VDD=5V
IIO=5mA
1
V
IIO=2mA
0.4
RON
Weak pull-up equivalent resistor 5)
VIN=VSS
80
160
280
k
tw(RSTL)out Generated reset pulse duration
External pin or
internal reset sources
6
30
1/fSFOSC
s
th(RSTL)in External reset pulse hold time
6)
10
s
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PDF描述
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