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參數(shù)資料
| 型號： | SST85LD0512-60-RI-LBTE |
| 元件分類： | 存儲控制器/管理單元 |
| 英文描述： | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| 封裝： | 12 X 24 MM, ROHS COMPLIANT, MO-210, LBGA-91 |
| 文件頁數(shù)： | 28/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 913K |
| 代理商： | SST85LD0512-60-RI-LBTE |
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2009 Silicon Storage Technology, Inc.
S71382-04-000
10/09
34
512 MByte / 1 GByte / 2 GByte NANDrive
SST85LD0512 / SST85LD1001T / SST85LD1002U
Data Sheet
Product Ordering Information
Valid Combinations
SST85LD0512-60-RI-LBTE
SST85LD1001T-60-RI-LBTE
SST85LD1002U-60-RI-LBTE
Note: Valid combinations are those products in mass production or will be in mass production. Consult
your SST sales representative to confirm availability of valid combinations and to determine
availability of new combinations.
SST
85
LD
1
001T
-
60
-
RI
-
LBTE
XX
XXX
XXXX
-XX
-
XXXX
Environmental Attribute
E1 = non-Pb
Package Modifier
T = 88 ball positions (nearest letter
code to total ball count of 91)
Package Type
LB = LBGA
Operation Temperature
I = Industrial: -40°C to +85°C
Endurance
R = 100,000,000 write cycles
minimum
Host Access Time
60 = 60ns - UDMA Mode - 4
Relative Performance Indicator
Higher letter indicates higher
performance
Capacity
512 = 512 MByte
001 = 1 GByte
002 = 2 GByte
MByte or GByte Designator
0 = MByte
1 = GByte
Voltage
L = 3.3V
Product Series
85 = NANDrive
1. Environmental suffix “E” denotes non-Pb sol-
der. SST non-Pb solder devices are “RoHS
Compliant”.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST85LD1001T-60-RI-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| SST85LD1004T-60-RI-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| SST85LD1008M-60-PC-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| SST85LD1008M-60-PC-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| SST85LP1004A-M-C-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST85LD0512-60-RI-LBTE-TM023 | 功能描述:閃存 512M NAND 60ns 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST85LD0512T-120-5C-LBZE | 功能描述:閃存 512M NAND 120ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST85LD1001K-60-4C-LBTE | 功能描述:閃存 1G NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST85LD1001K-60-PC-LBTE | 功能描述:閃存 1GB NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST85LD1001T-60-5I-LBTE | 功能描述:閃存 1G NAND 60ns 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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