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參數(shù)資料
| 型號： | SST85LD0512-60-RI-LBTE |
| 元件分類： | 存儲控制器/管理單元 |
| 英文描述： | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| 封裝： | 12 X 24 MM, ROHS COMPLIANT, MO-210, LBGA-91 |
| 文件頁數(shù)： | 25/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 913K |
| 代理商： | SST85LD0512-60-RI-LBTE |
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2009 Silicon Storage Technology, Inc.
S71382-04-000
10/09
31
512 MByte / 1 GByte / 2 GByte NANDrive
SST85LD0512 / SST85LD1001T / SST85LD1002U
Data Sheet
DC Characteristics (SST85LD0512/1001T/1002U)
Table 19: DC Characteristic for Host Interface VDDQ = 3.3V or 5V
Symbol
Type
Parameter
Min
Max
Units
Conditions
VIH1
I1
Input Voltage
2.0
V
VDDQ=VDDQ Max
VIL1
0.8
VDDQ=VDDQ Min
IIL1
I1Z
Input Leakage Current
-10
10
uA
VIN = GND to VDDQ,
VDDQ = VDDQ Max
IU1
I1U
Input Pull-Up Current
-150
-6
uA
VOUT = GND,
VDDQ = VDDQ Max
VT+2
I2
Input Voltage Schmitt Trigger
2.0
V
VDDQ=VDDQ Max
VT-2
0.8
VDDQ=VDDQ Min
IIL2
I2Z
Input Leakage Current
-10
10
uA
VIN = GND to VDDQ,
VDDQ = VDDQ Max
IU2
I2U
Input Pull-Up Current
-150
-6
uA
VOUT = GND,
VDDQ = VDDQ Max
VOH1
O1
Output Voltage
2.4
V
IOH1=IOH1 Min
VOL1
0.4
IOL1=IOL1 Max
IOH1
Output Current
-4
mA
VDDQ=VDDQ Min
IOL1
Output Current
4
mA
VDDQ=VDDQ Min
VOH2
O2
Output Voltage
2.4
V
IOH2=IOH2 Min
VOL2
0.4
IOL2=IOL2 Max
IOH2
Output Current
-8
mA
VDDQ=2.7V
IOL2
Output Current
8
mA
VDDQ Min
VOH6
O6
Output Voltage for DASP# pin
2.4
V
IOH6=IOH6 Min
VOL6
0.4
IOL6=IOL6 Max
IOH6
Output Current for DASP# pin
-4
mA
VDDQ=2.7-3.465V
IOL6
Output Current for DASP# pin
12
mA
VDDQ=2.7-3.465V
IOH6
Output Current for DASP# pin
-4
mA
VDDQ=4.5V-5.5V
IOL6
Output Current for DASP# pin
12
mA
VDDQ=4.5V-5.5V
T19.1 1382
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| SST85LD1001K-60-PC-LBTE | 功能描述:閃存 1GB NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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