參數資料
型號： SST85LD0512-60-RI-LBTE
元件分類： 存儲控制器/管理單元
英文描述： IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91
封裝： 12 X 24 MM, ROHS COMPLIANT, MO-210, LBGA-91
文件頁數： 22/36頁
文件大?。?/td> 913K
代理商： SST85LD0512-60-RI-LBTE
2009 Silicon Storage Technology, Inc.
S71382-04-000
10/09
29
512 MByte / 1 GByte / 2 GByte NANDrive
SST85LD0512 / SST85LD1001T / SST85LD1002U
Data Sheet
Electrical Specifications
Absolute Maximum Stress Ratings (Applied conditions greater than those listed under “Absolute
Maximum Stress Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these conditions or conditions greater than those defined in the
operational sections of this data sheet is not implied. Exposure to absolute maximum stress rating con-
ditions may affect device reliability.)
Temperature Under Bias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55°C to +125°C
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65°C to +150°C
D.C. Voltage on Pins1 I3, I4, O4, and O5 to Ground Potential . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5V to VDD+0.5V
1. Refer to Table 1 for pin assignment information.
Transient Voltage (<20 ns) on Pins1 I3, I4, O4, and O5 to Ground Potential . . . . . . -2.0V to VDD+2.0V
D.C. Voltage on Pins1 I1, I2, O1, O2, and O6 to Ground Potential . . . . . . . . . . . . -0.5V to VDDQ+0.5V
Transient Voltage (<20 ns) on Pins1 I1, I2, O1, O2, and O6 to Ground Potential . -2.0V to VDDQ+2.0V
Package Power Dissipation Capability (TA = 25°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W
Through Hole Lead Soldering Temperature (10 Seconds) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .300°C
Surface Mount Solder Reflow Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260°C for 10 seconds
Output Short Circuit Current2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 mA
2. Outputs shorted for no more than one second. No more than one output shorted at a time.
Table 13: Absolute Maximum Power Pin Stress Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
Input Power
VDDQ
VDD
-0.3V min to 6.5V max
-0.3V min to 4.0V max
Voltage on all pins with respect to VSS
-0.5V min to VDDQ + 0.5V max
T13.0 1382
Table 14: Operating Range
Range
Ambient
Temperature
VDDQ
VDD
3.3V
5V
3.3V
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Industrial
-40°C to +85°C
3.135V
3.465V
4.5V
5.5V
3.135V
3.465V
Table 15: AC Conditions of Test1
1.
Input Rise/Fall Time
Output Load
10 ns
CL = 100 pF
T15.1 1382
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PDF描述
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參數描述
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SST85LD1001K-60-PC-LBTE 功能描述:閃存 1GB NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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