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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SPN04N60S5 |
| 廠(chǎng)商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | Cool MOS Small-Signal-Transistor(Cool MOS 小信號(hào)晶體管) |
| 中文描述： | 酷馬鞍山小信號(hào)晶體管（酷馬鞍山小信號(hào)晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商： | SPN04N60S5 |
1999-10-11
7
SPN04N60S5
Preliminary data
Gate threshold voltage
V
GS(th)
= f(T
j
)
parameter: V
GS
= V
GS
, I
D
= 200 μA
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0
1
2
3
4
5
V
7
V
G
typ.
98%
2%
Drain-source break down voltage
V
(BR)DSS
=f (T
j
)
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
500
520
540
560
580
600
620
640
660
V
700
V
(
Forward characteristics of reverse diode
I
F
= f(V
SD
)
parameter: T , t
p
= 80 μs
1
10
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
V
SD
3.0
-2
10
-1
10
0
10
A
SPN04N60S5
I
F
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 150 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 150 °C (98%)
Typ. gate charge
V
GS
= f (Q
Gate
)
parameter: I
D
= 0.8 A pulsed
SPN04N60S5
0
4
8
12
16
20
nC
28
Q
g
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
G
DS max
V
0,8
DS max
V
0,2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPN1012 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN1012S52RG | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN1026 | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN1026S56RG | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN1423 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SPN04N60S5_05 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:New revolutionary high voltage technology Worldwide best RDS in SOT 223 |
| SPN04N60S5NT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 0.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| SPN04N60S5XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 0.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 |
| SPN05T10 | 制造商:SYNC-POWER 制造商全稱(chēng):SYNC-POWER 功能描述:N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN05T10T252RGB | 制造商:SYNC-POWER 制造商全稱(chēng):SYNC-POWER 功能描述:N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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