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參數(shù)資料
| 型號： | SPN04N60S5 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | Cool MOS Small-Signal-Transistor(Cool MOS 小信號晶體管) |
| 中文描述： | 酷馬鞍山小信號晶體管（酷馬鞍山小信號晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商： | SPN04N60S5 |
1999-10-11
5
SPN04N60S5
Preliminary data
Power Dissipation
P
tot
= f (T
A
)
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
W
1.9
SPN04N60S5
P
t
Drain current
I
D
= f (T
A
)
parameter: V
GS
≥
10 V
SPN04N60S5
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
A
0.9
I
D
Safe operating area
I
D
=f (V
DS
)
parameter: D=0.01, T
A
=25°C
SPN04N60S5
10
0
10
1
10
2
10
3
V
V
DS
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
A
I
D
R
DSon
=
V
DS
I
D
DC
10 ms
1 ms
100 μs
t
p = 13.0μs
Transient thermal impedance
Z
thJS
= f(t
P
)
Parameter: D=t
P
/T
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
3
s
tp
-1
10
0
10
1
10
2
10
K/W
Z
D=0.5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
single pulse
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPN1012 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN1012S52RG | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN1026 | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN1026S56RG | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN1423 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SPN04N60S5_05 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:New revolutionary high voltage technology Worldwide best RDS in SOT 223 |
| SPN04N60S5NT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 0.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| SPN04N60S5XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 0.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 |
| SPN05T10 | 制造商:SYNC-POWER 制造商全稱:SYNC-POWER 功能描述:N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN05T10T252RGB | 制造商:SYNC-POWER 制造商全稱:SYNC-POWER 功能描述:N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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