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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SPN04N60S5 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | Cool MOS Small-Signal-Transistor(Cool MOS 小信號(hào)晶體管) |
| 中文描述： | 酷馬鞍山小信號(hào)晶體管（酷馬鞍山小信號(hào)晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商： | SPN04N60S5 |
1999-10-11
6
SPN04N60S5
Preliminary data
Typ. output characteristic
I
D
= f (V
DS
)
Parameter: V
GS
, T
j
= 25 °C
0
4
8
12
16
20
V
V
DS
26
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
A
14
I
D
7V
9V
11V
13V
Drain-source on-resistance
R
DS(on)
=
f
(
T
j
)
parameter :
I
D
= 0.65 A,
V
GS
= 10 V
SPN04N60S5
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.5
R
D
typ
98%
Typ. transfer characteristics
I
D
= f( V
GS
)
V
DS
≥
2 x I
D
x R
DS(on)max
1
3
5
7
9
11
13
15
17
V
20
V
GS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
A
15
I
D
Typ. capacitances
C= f (V
DS
)
parameter: V
GS
=0 V, f=1 MHz
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
V
DS
100
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
pF
C
Ciss
Coss
Crss
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPN1012 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN1012S52RG | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN1026 | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN1026S56RG | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN1423 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SPN04N60S5_05 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:New revolutionary high voltage technology Worldwide best RDS in SOT 223 |
| SPN04N60S5NT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 0.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| SPN04N60S5XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 0.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 |
| SPN05T10 | 制造商:SYNC-POWER 制造商全稱:SYNC-POWER 功能描述:N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN05T10T252RGB | 制造商:SYNC-POWER 制造商全稱:SYNC-POWER 功能描述:N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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