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參數(shù)資料
| 型號： | SKW10N60 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode( NPT 技術中的快速 S-IGBT) |
| 中文描述： | 快速的S - IGBT的不擴散核武器條約與軟，恢復快反平行快恢復二極管（不擴散技術中的快速第S - IGBT技術） |
| 文件頁數(shù)： | 4/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 296K |
| 代理商： | SKW10N60 |
SKP10N60
SKB10N60, SKW10N60
4
Mar-00
I
C
,
C
10Hz
100Hz
1kHz
10kHz
100kHz
0A
10A
20A
30A
40A
50A
T
C
=110°C
T
C
=80°C
I
C
,
C
1V
10V
100V
1000V
0.1A
1A
10A
DC
1ms
200
μ
s
50
μ
s
15
μ
s
t
p
=5
μ
s
f
,
SWITCHING FREQUENCY
Figure 1. Collector current as a function of
switching frequency
(
T
j
≤
150
°
C,
D =
0.5,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
R
G
= 25
)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 2. Safe operating area
(
D =
0,
T
C
= 25
°
C,
T
j
≤
150
°
C)
P
t
,
P
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
0W
20W
40W
60W
80W
100W
120W
I
C
,
C
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
0A
5A
10A
15A
20A
25A
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 3. Power dissipation as a function
of case temperature
(
T
j
≤
150
°
C)
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 4. Collector current as a function of
case temperature
(
V
GE
≤
15V,
T
j
≤
150
°
C)
I
c
I
c
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SKW10N60A | 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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| SK-W11-21C-5/8 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:SK-W11-21C-5/8 - Bulk |
| SK-W11-22C-1/2 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:SK-W11-22C-1/2 - Bulk |
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