參數(shù)資料
型號: SKW10N60
廠商: SIEMENS AG
英文描述: Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
中文描述: 快速的S - IGBT的不擴散核武器條約與軟,恢復(fù)快反平行快恢復(fù)二極管(不擴散技術(shù)中的快速第S - IGBT技術(shù))
文件頁數(shù): 12/14頁
文件大小: 296K
代理商: SKW10N60
SKP10N60
SKB10N60, SKW10N60
12
Mar-00
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TO-247AC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
skb15n60 Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SKP15N60 Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SKW15N60 Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
skw20n60 Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SKW10N60A 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SK-W11-21C-1/2 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:SK-W11-21C-1/2 - Bulk
SK-W11-21C-3/4 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:SK-W11-21C-3/4 - Bulk
SK-W11-21C-5/8 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:SK-W11-21C-5/8 - Bulk
SK-W11-22C-1/2 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:SK-W11-22C-1/2 - Bulk