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參數(shù)資料
| 型號： | SKW10N60 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT) |
| 中文描述： | 快速的S - IGBT的不擴散核武器條約與軟，恢復(fù)快反平行快恢復(fù)二極管（不擴散技術(shù)中的快速第S - IGBT技術(shù)） |
| 文件頁數(shù)： | 10/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 296K |
| 代理商： | SKW10N60 |
SKP10N60
SKB10N60, SKW10N60
10
Mar-00
I
F
,
F
0.0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
0A
5A
10A
15A
20A
150°C
-55°C
25°C
100°C
V
F
,
F
-40°C
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 26. Typical diode forward voltage as
a function of junction temperature
0°C
40°C
80°C
120°C
1.0V
1.5V
2.0V
V
F
,
FORWARD VOLTAGE
Figure 25. Typical diode forward current as
a function of forward voltage
Z
t
,
T
1μs
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
1s
10
-2
K/W
10
-1
K/W
10
0
K/W
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
single pulse
D
=0.5
t
p
,
PULSE WIDTH
Figure 27. Diode transient thermal
impedance as a function of pulse width
(
D
=
t
p
/
T
)
I
F
= 10A
I
F
= 20A
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
R
,(K/W )
0.759
0.481
0.609
0.551
τ
,
(s)
=
5.53*10
-2
4.28*10
-3
4.83*10
-4
5.77*10
-5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| SKW10N60A | 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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| SK-W11-22C-1/2 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:SK-W11-22C-1/2 - Bulk |
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