參數(shù)資料
型號(hào)： SKP15N60
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
中文描述： 快速的S - IGBT的不擴(kuò)散核武器條約與軟，恢復(fù)快反平行快恢復(fù)二極管（不擴(kuò)散技術(shù)中的快速第S - IGBT技術(shù)）
文件頁數(shù)： 7/14頁
文件大?。?/td> 301K
代理商： SKP15N60
SKP15N60
SKB15N60, SKW15N60
7
Mar-00
E
,
S
0A
5A
10A
15A
20A
25A
30A
35A
0.0mJ
0.2mJ
0.4mJ
0.6mJ
0.8mJ
1.0mJ
1.2mJ
1.4mJ
1.6mJ
1.8mJ
E
on
*
E
off
E
ts
*
E
,
S
0
20
R
G
,
GATE RESISTOR
40
60
80
0.0mJ
0.2mJ
0.4mJ
0.6mJ
0.8mJ
1.0mJ
1.2mJ
1.4mJ
E
ts
*
E
on
*
E
off
I
C
,
COLLECTOR CURRENT
Figure 13. Typical switching energy losses
as a function of collector current
(inductive load,
T
j
= 150
°
C,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
R
G
= 21
)
Figure 14. Typical switching energy losses
as a function of gate resistor
(inductive load,
T
j
= 150
°
C,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
I
C
= 15A)
E
,
S
0°C
50°C
100°C
150°C
0.0mJ
0.2mJ
0.4mJ
0.6mJ
0.8mJ
1.0mJ
E
ts
*
E
on
*
E
off
Z
t
,
T
1μs
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
1s
10
-4
K/W
10
-3
K/W
10
-2
K/W
10
-1
K/W
10
0
K/W
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
single pulse
D
=0.5
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 15. Typical switching energy losses
as a function of junction temperature
(inductive load,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
I
C
= 15A,
R
G
= 21
)
t
p
,
PULSE WIDTH
Figure 16. IGBT transient thermal
impedance as a function of pulse width
(
D
=
t
p
/
T
)
*)
E
and
E
include losses
due to diode recovery.
*)
E
and
E
include losses
due to diode recovery.
*)
E
and
E
include losses
due to diode recovery.
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
R
,(1/W )
0.5321
0.2047
0.1304
0.0027
τ
,
(s)
=
0.04968
2.58*10
-3
2.54*10
-4
3.06*10
-4
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PDF描述
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