參數(shù)資料
型號(hào)： SKP15N60
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
中文描述： 快速的S - IGBT的不擴(kuò)散核武器條約與軟，恢復(fù)快反平行快恢復(fù)二極管（不擴(kuò)散技術(shù)中的快速第S - IGBT技術(shù)）
文件頁數(shù)： 4/14頁
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代理商： SKP15N60
SKP15N60
SKB15N60, SKW15N60
4
Mar-00
I
C
,
C
10Hz
100Hz
1kHz
10kHz
100kHz
0A
10A
20A
30A
40A
50A
60A
70A
80A
T
C
=110°C
T
C
=80°C
I
C
,
C
1V
10V
100V
1000V
0.1A
1A
10A
100A
DC
1ms
200
μ
s
50
μ
s
15
μ
s
t
p
=5
μ
s
f
,
SWITCHING FREQUENCY
Figure 1. Collector current as a function of
switching frequency
(
T
j
≤
150
°
C,
D =
0.5,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
R
G
= 21
)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 2. Safe operating area
(
D =
0,
T
C
= 25
°
C,
T
j
≤
150
°
C)
P
t
,
P
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
0W
20W
40W
60W
80W
100W
120W
140W
I
C
,
C
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
0A
5A
10A
15A
20A
25A
30A
35A
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 3. Power dissipation as a function
of case temperature
(
T
j
≤
150
°
C)
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 4. Collector current as a function of
case temperature
(
V
GE
≤
15V,
T
j
≤
150
°
C)
I
c
I
c
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PDF描述
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